[发明专利]用于半导体废气处理设备的反应腔和半导体废气处理设备

说明书

本申请提供一种用于半导体废气处理设备的反应腔和半导体废气处理设备，反应腔包括：反应腔本体，呈圆筒状，半导体制程产生的废气生成于反应腔本体内；均水环，呈阵列状、沿反应腔本体的周向设置于反应腔本体的内壁顶部，均水环用于对进入反应腔本体的溢流水进行均水处理，使得溢流水均匀地覆盖反应腔本体的整个内壁；均水环的设置高度为：h≥hsubgt;水/subgt;＝Qsubgt;进水量/subgt;/ssubgt;水冷壁底面积/subgt;；其中，Qsubgt;进水量/subgt;为进水量，ssubgt;水冷壁底面积/subgt;为水冷壁的底面积，hsubgt;水/subgt;为水冷壁的高度。本申请的反应腔增高了冷却水壁的高度，并采用均水环进行梳齿，降低水壁表面的自由能，使溢流水进入反应腔的过程中更加均匀。这种设置状态可以降低溢流不均匀的随机性不利影响。

技术领域

本申请涉及半导体废气处理领域，尤其涉及到一种用于半导体废气处理设备的反应腔和半导体废气处理设备。

背景技术

泛半导体行业生产过程中，大量使用化学品和特殊气体，生产环节持续产生大量有毒有害气体的工艺废气。工艺废气需要与生产工艺同步进行收集、治理和排放，废气处理系统及设备是半导体生产工艺不可分割的组成部分，其安全稳定性直接关系到产能利用率、产品良率、员工职业健康及生态环境。

在半导体工艺中，Harsh工艺是指复杂苛刻、多粉尘、强腐蚀的工艺，如化学气相淀积(CVD)工艺中的硼磷硅玻璃(BPSG)制程、高纵深比(HARP)制程、氮化硅(SiN)制程、蚀刻(ETCH)中的金属刻蚀(MetalETCH)制程、扩散(Diffusion)工艺中的原子层淀积(ALD)制程、时间敏感网络(TSN)制程等。

在Harsh工艺中，有大量的SiO2粉尘和强腐蚀性有害物质需要进行处理，容易致使废气处理设备流动不畅、粉尘堆积、堵塞以及设备腐蚀泄漏等问题，导致设备需要停机进行维护。

在所述背景技术部分，公开的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术信息。

发明内容

本申请的至少一实施例提供了一种用于半导体废气处理设备的反应腔和半导体废气处理设备。

第一方面，本申请的至少一实施例提供了一种用于半导体废气处理设备的反应腔，包括：反应腔本体，呈圆筒状，半导体制程产生的废气生成于所述反应腔本体内；均水环，呈阵列状、沿所述反应腔本体的周向设置于所述反应腔本体的内壁顶部，所述均水环用于对进入所述反应腔本体的溢流水进行均水处理，使得溢流水均匀地覆盖所述反应腔本体的整个内壁；

所述均水环的设置高度为：

h≥h_水＝Q_进水量/s_{水冷壁底面积}；

其中，Q_进水量为溢流水的进水量，s_{水冷壁底面积}为溢流水形成的水冷壁的底面积，h_水为溢流水形成的水冷壁的高度。

第二方面，本申请的至少一实施例提供了一种半导体废气处理设备，包括第一方面任一实施例中的用于半导体废气处理设备的反应腔。

例如，在本申请的第一方面或第二方面的一些实施例中，进入所述反应腔本体的溢流水在所述反应腔本体的内壁上形成溢流缝隙，所述溢流缝隙的宽度为：

L≤Q_进水量/πdvt；

其中，d为溢流缝隙的外轮廓圆周直径，v为溢流水的流速，t为溢流水的通水时间。

例如，在本申请的第一方面或第二方面的一些实施例中，所述均水环包括多个均水子环，所述多个均水子环等距、且沿所述反应腔本体的周向阵列设置。