[发明专利]用于半导体废气处理设备的反应腔和半导体废气处理设备

权利要求书

1.一种用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，包括：

反应腔本体，呈圆筒状，半导体制程产生的废气生成于所述反应腔本体内；

均水环，呈阵列状、沿所述反应腔本体的周向设置于所述反应腔本体的内壁顶部，所述均水环用于对进入所述反应腔本体的溢流水进行均水处理，使得溢流水均匀地覆盖所述反应腔本体的整个内壁；

所述均水环的设置高度为：

h≥h_水＝Q_进水量/s_{水冷壁底面积}；

其中，Q_进水量为溢流水的进水量，s_{水冷壁底面积}为溢流水形成的水冷壁的底面积，h_水为溢流水形成的水冷壁的高度。

2.根据权利要求1所述的用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，进入所述反应腔本体的溢流水在所述反应腔本体的内壁上形成溢流缝隙，所述溢流缝隙的宽度为：

L≤Q_进水量/πdvt；

其中，d为溢流缝隙的外轮廓圆周直径，v为溢流水的流速，t为溢流水的通水时间。

3.根据权利要求1所述的用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述均水环包括多个均水子环，所述多个均水子环等距、且沿所述反应腔本体的周向阵列设置。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，溢流水沿所述反应腔本体的周向等速、等量地进入所述反应腔本体的内壁。

5.一种半导体废气处理设备，其特征在于，包括：如权利要求1-4中任一项所述的用于半导体废气处理的反应腔。

6.根据权利要求5所述的半导体废气处理设备，其特征在于，还包括：

冷却腔，装配连通于所述反应腔的下游，半导体制程产生的废气和溢流水经由所述反应腔进入所述冷却腔内；

循环水箱，与所述冷却腔连通，溢流水经由所述冷却腔进入所述循环水箱内。

7.根据权利要求6所述的半导体废气处理设备，其特征在于，还包括：

溢流腔，装配连通于所述反应腔和所述冷却腔之间，所述冷却腔通过所述溢流腔装配连通于所述反应腔，溢流水通过所述溢流腔进入所述冷却腔。

8.根据权利要求7所述的半导体废气处理设备，其特征在于，

所述溢流腔与所述反应腔连通端的外轮廓大于所述溢流腔与所述冷却腔连通端的外轮廓。

9.根据权利要求6所述的半导体废气处理设备，其特征在于，

溢流水进入所述循环水箱后被重新抽取进入所述反应腔本体内。

10.根据权利要求5-9中任一项所述的半导体废气处理设备，其特征在于，还包括：

支架组件，所述反应腔设置于所述支架组件。