[发明专利]一种新型高密度封装基板中心层结构的制作方法在审
| 申请号： | 202211110889.X | 申请日： | 2022-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN115621131A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 环珣 | 申请（专利权）人： | 苏州芯唐格电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B29C43/18 |
| 代理公司： | 深圳知帮办专利代理有限公司 44682 | 代理人： | 谢金文 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型高密度封装基板中心层结构的制作方法，包括以下步骤：S1、制备基板，基板通常采用不锈钢作为临时基板；S2、覆铜层，在临时基板上通过粘接剂粘接一层铜层；S3、电镀铜柱；在铜层上电镀若干个铜柱，S4、压膜，将铜柱间注入粉状介电料；S5、机械剥离模具，形成产品。本发明极大缩减了工艺流程，减少了化学废液的处理量，提升了铜导通层导通金属制作的一致性，实现更高密度的导通层金属结构加工技术能力，解决了导通层金属铜柱容易形变和基板翘曲的问题，提升了最终封装基板中心层结构整体的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 高密度 封装 中心 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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