[发明专利]一种新型高密度封装基板中心层结构的制作方法

权利要求书

1.一种新型高密度封装基板中心层结构的制作方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

S1、制备基板，基板通常采用不锈钢作为临时基板；

S2、覆铜层，在临时基板上通过粘接剂粘接一层铜层；

S3、电镀铜柱；在铜层上电镀若干个铜柱，

S4、压膜，将铜柱间注入粉状介电料；

S5、机械剥离模具，形成产品。

2.如权利要求1所述的新型高密度封装基板中心层结构的制作方法，其特征在于S2步骤中，通过物理压合的方式，将铜层、粘接剂及临时基板稳定地固定在一起。

3.如权利要求2所述的新型高密度封装基板中心层结构的制作方法，其特征在于S2步骤中，所述粘接剂可以为一种热解胶，可以在一定高温下降低粘性，从而实现分离，也可以是一类覆铜层侧低粘度，临时基板侧高粘度的粘合剂。

4.如权利要求1所述的新型高密度封装基板中心层结构的制作方法，其特征在于S4中，压膜采用固态粉状介电料，通过机械撒料，均匀的分布在产品表面，然后采用磨具下压的方式，介电塑封料液化后再固化的过程，介电膜不会流动，从而形成平整的介电层，同时铜柱的结构也不会产生形变。

5.如权利要求4所述的新型高密度封装基板中心层结构的制作方法，其特征在于S4中，所述粉状介电料采用一种封装的环氧树脂体系的塑封料，其填充料为1～55um的二氧化硅。