[发明专利]一种新型高密度封装基板中心层结构的制作方法

说明书

本发明公开了一种新型高密度封装基板中心层结构的制作方法，包括以下步骤：S1、制备基板，基板通常采用不锈钢作为临时基板；S2、覆铜层，在临时基板上通过粘接剂粘接一层铜层；S3、电镀铜柱；在铜层上电镀若干个铜柱，S4、压膜，将铜柱间注入粉状介电料；S5、机械剥离模具，形成产品。本发明极大缩减了工艺流程，减少了化学废液的处理量，提升了铜导通层导通金属制作的一致性，实现更高密度的导通层金属结构加工技术能力，解决了导通层金属铜柱容易形变和基板翘曲的问题，提升了最终封装基板中心层结构整体的良率和可靠性。

技术领域

本发明属于封装基板的技术领域，具体涉及一种新型高密度封装基板中心层结构的制作方法。

背景技术

封装基板是可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。目前所使用的多数是半导体封装基板。

封装技术经历了4个阶段：(1)20世纪70代，以插装型的封装技术形式为主；(2)20世纪80年代，主要以微电子封装技术表面贴装技术为主流；(3) 20世纪90年代，随着集成电路技术的不断进步，封装技术主要是以面阵列的方式向小型化和低功率方向发展；(4)进入21世纪后，封装技术进入了快速发展时期，迎来了堆叠式封装技术时代，封装概念从原本的单一器件封装演变成了系统级封装(SiP)。

封装过程中，作为上下互连的中介层结构，垂直互连结构对三维封装集成能力以及实现系统整合具有不可替代的作用，其中硅通孔(TSV)、塑封通孔 (TMV)和玻璃通孔(TGV)互连结构在近些年的先进封装领域中是最为普遍的结构，通过垂直互连提高了封装体的高密度互连能力。如图1所示，为现有的封装工艺，包括以下步骤：步骤1、制备基板，基板通常采用不锈钢作为临时基板；步骤2、针对基板表面进行活化；步骤3、电镀铜导通层；其中，铜导通层包含有若干个铜柱，步骤4、注膜，将铜导通层的铜柱间注入介电料；步骤5、不锈钢蚀刻，移除基板；步骤6、化学沉铜，在铜导通层附着一层沉铜层，由此制得需要的封装基板。现有的工艺互联结构，依托与不锈钢临时载体，电镀出互联层铜导通结构，然后通过注膜介电料的方式，埋入铜柱导通结构，再通过化学蚀刻不锈钢临时载体，并做化学沉铜的方式实现介电料面的金属化。

现有技术采用不锈钢上电镀铜柱，然后蚀刻不锈钢，再使用化学沉铜的方式实现介电料面金属化，会出现不锈钢和铜结合不稳定，导通铜结构掉落，以及铜结构一致性只能达到80％，其中还会大量用到化学药品，废液处理量大，整体工艺流程非常废杂，且良率难以控制，同时注膜的方式还会导致产品内应力大，产品弯翘严重，可靠性差。

发明内容

为解决上述问题，本发明的首要目的在于提供一种新型高密度封装基板中心层结构的制作方法，该方法能够缩短工艺流程，并能有效的提升产品良率。

本发明的另一目的在于提供一种新型高密度封装基板中心层结构的制作方法，该方法能够减少了化学废液的处理量，提升铜导通层导通金属制作的一致性，实现更高密度的导通层金属结构的加工，同时，解决了导通层金属铜柱容易形变和基板翘曲的问题。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下。

一种新型高密度封装基板中心层结构的制作方法，该方法包括以下步骤：

S1、制备基板，基板通常采用不锈钢作为临时基板；

S2、覆铜层，在临时基板上通过粘接剂粘接一层铜层；

该步骤中，通过物理压合的方式，将铜层、粘接剂及临时基板稳定地固定在一起，通过物理压合的方式取代原有的化学沉铜，简化了生产工艺，同时使不可控的化学沉淀过程变得可控，由此提高铜层的均匀性和一致性。

所述粘接剂可以为一种热解胶，可以在一定高温下降低粘性，从而实现分离，也可以是一类覆铜层侧低粘度，临时基板侧高粘度的粘合剂，可以机械剥离基板本体。