[发明专利]硅片背面及侧面硼硅玻璃的去除方法及太阳能电池在审
| 申请号： | 202211097850.9 | 申请日： | 2022-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN115910772A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 夏新中;潘明翠;郎芳;孟庆超;王红芳;翟金叶 | 申请（专利权）人： | 英利能源发展（天津）有限公司;英利能源发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L31/18;H01L21/02;H01L21/67;H01L31/068;B08B5/02 |
| 代理公司： | 河北国维致远知识产权代理有限公司 13137 | 代理人： | 赵宝琴 |
| 地址： | 301500 天津市宁河区现代产*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硅片背面及侧面硼硅玻璃的去除方法及太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括：硼扩散后的硅片刻蚀时，使热风从硅片的正上方垂直吹向硅片的正面，加热硅片，扫除溅射到硅片正面的刻蚀液，去除硅片背面和侧面的硼硅玻璃。本发明热风直接吹到硅片的正面，在硅片的背面和侧面形成了快速的化学反应过程，进而提升刻蚀速度，提升了硅片背面和侧面硼硅玻璃的去除速度，提升了太阳能电池的生产效率，降低了氢氟酸刻蚀液的消耗，降低了资源消费，降低了企业的生产成本；同时能够扫除溅射到硅片正面的刻蚀液，避免硅片正面被腐蚀和刻蚀，在去除背面和侧面硼硅玻璃的同时，对硅片正面起到保护的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 背面 侧面 玻璃 去除 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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