[发明专利]制造半导体封装件的方法在审
| 申请号： | 202211097137.4 | 申请日： | 2022-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN115881632A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 权俊润;朴点龙;宋乺智;吴东俊;李忠善;黄贤洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体封装件的方法包括：在晶片上形成掩模层，所述晶片包括半导体衬底和绝缘层；通过执行第一激光开槽工艺在所述半导体衬底中形成凹槽；通过执行第二激光开槽工艺来扩展由所述第一激光开槽工艺打开的所述掩模层的开口；通过去除所述掩模层的一部分来暴露所述绝缘层的一部分；以及通过执行切割工艺切割所述半导体衬底，同时去除在所述暴露期间所暴露的所述绝缘层的所述一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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