[发明专利]一种HEMT器件在审
| 申请号： | 202211092714.0 | 申请日： | 2022-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN115881795A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 姜涛 | 申请（专利权）人： | 乂馆信息科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 200080 上海市虹*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种HEMT器件，包括：二维电子气结构和至少一对对偶栅极，其中，所述二维电子气结构中形成有二维电子气沟道，所述至少一对对偶栅极位于所述二维电子气沟道的上方；所述对偶栅极采用自对准工艺形成，每对所述对偶栅极包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极沿所述第一栅极和所述第二栅极的中心轴线呈镜像对称设置。该HEMT器件中设置至少一对对偶栅极，每对对偶栅极均包括两个栅极，等效于给栅极增加了冗余设计，当一个对偶栅极中的一个栅极失效时例如阈值电压发生漂移，另外一个栅极仍能正常工作，增加了HEMT器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hemt 器件 | ||
【主权项】：
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