[发明专利]一种HEMT器件

权利要求书

1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：二维电子气结构(1)和至少一对对偶栅极(2)，其中，

所述二维电子气结构(1)中形成有二维电子气沟道，所述至少一对对偶栅极(2)位于所述二维电子气沟道的上方；

所述对偶栅极(2)采用自对准工艺形成，每对所述对偶栅极(2)包括第一栅极(21)和第二栅极(22)，所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)沿所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)的中心轴线呈镜像对称设置。

2.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述对偶栅极(2)位于所述二维电子气结构(1)的表面上。

3.根据权利要求2所述的HEMT器件，其特征在于，还包括栅极金属层(3)，所述栅极金属层(3)包裹所述对偶栅极(2)且位于所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)之间。

4.根据权利要求3所述的HEMT器件，其特征在于，还包括绝缘介质层(4)，所述绝缘介质层(4)位于所述栅极金属层(3)和所述对偶栅极(2)之间。

5.根据权利要求3所述的HEMT器件，其特征在于，还包括绝缘介质层(4)，所述绝缘介质层(4)位于所述栅极金属层(3)和所述对偶栅极(2)中远离漏极的栅极之间。

6.根据权利要求2所述的HEMT器件，其特征在于，还包括栅极金属层(3)和绝缘介质层(4)，所述绝缘介质层(4)位于所述二维电子气结构(1)的表面且所述对偶栅极(2)贯穿所述绝缘介质层(4)，所述栅极金属层(3)位于所述对偶栅极(2)的顶部和所述绝缘介质层(4)上。

7.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述对偶栅极(2)深入所述二维电子气结构(1)中且其底部位于所述二维电子气沟道上方。

8.根据权利要求7所述的HEMT器件，其特征在于，还包括栅极金属层(3)，所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)互联，且所述栅极金属层(3)位于互联的所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)上和所述二维电子气结构(1)上。

9.根据权利要求8所述的HEMT器件，其特征在于，还包括绝缘介质层(4)，所述绝缘介质层(4)位于所述对偶栅极(2)与所述二维电子气结构(1)之间。

10.根据权利要求7所述的HEMT器件，其特征在于，还包括栅极金属层(3)、缓冲绝缘介质层(41)和栅极绝缘介质层(42)，

所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)中靠近漏极的栅极与所述二维电子气结构(1)之间、所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)之间层叠设置所述缓冲绝缘介质层(41)和所述栅极绝缘介质(42)；

所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)中远离漏极的栅极与所述二维电子气结构(1)之间设置所述栅极绝缘介质层(42)；

所述栅极金属层(3)位于所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)上的所述栅极绝缘介质层(42)上且位于所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)之间的所述栅极绝缘介质层(42)上。

11.根据权利要求2或7所述的HEMT器件，其特征在于，还包括第一栅极金属层(31)和第二栅极金属层(32)，所述第一栅极金属层(31)位于所述第一栅极(21)上，所述第二栅极金属层(32)位于所述第二栅极(22)上。

12.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述第一栅极(21)和所述第二栅极(22)的材料均包括金属、P型GaN系材料中的一种或多种。