[发明专利]MOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211086776.0 | 申请日： | 2022-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN116110790A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MOS器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供第一基底、埋型氧化层和第二基底；形成栅极结构；执行离子注入工艺以形成halo区，其中，栅极结构往第二基底所在的平面上的水平投影与halo区存在交叠；形成保护氧化层；形成第一侧墙；执行离子注入工艺以形成轻掺杂漏区；形成第二侧墙；形成源极和漏极。本申请在形成栅极结构之后，直接进行Halo注入；形成保护氧化层和第一侧墙后再LDD注入。通过保护氧化层和第一侧墙将LDD注入和Halo注入分开，使得halo区与阱区的交界位置到LDD区与halo区的交界位置的间距更大，可以降低LDD/halo结的梯度，从而降低结中的电场，降低GIDL电流。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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