[发明专利]一种超结VDMOS新结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202211078330.3 | 申请日： | 2022-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN115172466B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;姜春亮;雷秀芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京惟盛达知识产权代理事务所(普通合伙) 11855 | 代理人： | 陈钊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种超结VDMOS新结构及其制备方法。本发明的一种超结VDMOS新结构，通过在超结VDMOS的P柱中部引入SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 vdmos 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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