[发明专利]EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法在审
| 申请号： | 202211077807.6 | 申请日： | 2022-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN115327851A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 董于虎;季明华;黄早红 | 申请（专利权）人： | 上海传芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;G03F1/22;G03F1/24;G03F1/68 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 200000 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法，在基底上覆盖包覆层，并对包覆层的厚度进行调节，补偿弹性模量等物理参数的差异，进一步在包覆层的表面上覆盖旋涂碳层(Spin‑on Carbon，SOC)，使得所述EUV级衬底表面的热膨胀系数接近于0，进而可以获得低成本、高性能、低缺陷的EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩摸版。 | ||
| 搜索关键词： | euv 衬底 掩模基版 模版 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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