[发明专利]EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法

权利要求书

1.一种EUV级衬底的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底的表面上形成具有负热膨胀系数的包覆层，所述包覆层的材料包括主链含酰胺结构的聚酰亚胺；

在所述包覆层的顶面上旋涂碳材料，以形成顶面平坦的旋涂碳层，进而形成EUV级衬底；

其中，在形成所述包覆层的过程中或者形成所述包覆层之后，调节所述包覆层的厚度至相应厚度，以补偿所述包覆层与所述基底的弹性模量的差异，使得所述包覆层的顶面的热膨胀系数低于10^-7/^oK。

2.如权利要求1所述的EUV级衬底的制造方法，其特征在于，在所述基底的表面上形成包覆层的步骤包括：

步骤a，将基底浸入到相应的有机聚合物材料溶液中；

步骤b，将表面上附着有有机聚合物材料溶液的基底置于烘箱中，并采用阶梯程序升温进行固化和/或热化学反应，形成包覆层；

步骤c，重复执行步骤a和步骤b，直至形成的包覆层达到相应的厚度。

3.如权利要求1所述的EUV级衬底的制造方法，其特征在于，在所述基底的表面上形成包覆层的步骤包括：在所述基底的顶面上涂覆有机聚合物材料溶液，并进行烘烤固化，形成相应厚度的包覆层。

4.如权利要求2或3所述的EUV级衬底的制造方法，其特征在于，形成所述包覆层之后，通过对所述包覆层的顶面进行减薄，调节所述包覆层的厚度。

5.一种EUV掩模基版的制造方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1～4中任一项所述的EUV级衬底的制造方法，形成EUV级衬底；

在所述EUV级衬底的旋涂碳层上依次形成反射膜堆栈层和吸收层，以形成EUV掩模基版。

6.如权利要求5所述的EUV掩模基版的制造方法，其特征在于，

在所述旋涂碳层上形成所述反射膜堆栈层之后且在形成所述吸收层之前，还包括：在所述反射膜堆栈层上形成覆盖层；以及，

在形成所述吸收层之后，还包括：在所述衬底背向所述旋涂碳层的表面上形成背面导电层。

7.一种EUV掩模版的制造方法，其特征在于，包括：

采用权利要求5或6所述的EUV掩模基版的制造方法，形成EUV掩模基版；

蚀刻所述EUV掩模基版的吸收层，以所述吸收层中形成第一图案；

蚀刻所述第一图案外围的所述EUV掩模基版的吸收层和反射膜堆栈层，且蚀刻停止在所述EUV掩模基版的旋涂碳层的表面上，以形成第二图案。

8.一种EUV级衬底，其特征在于，包括：

基底；

具有负热膨胀系数的包覆层，至少形成在所述基底的表面上，所述包覆层的材料包括主链含酰胺结构的聚酰亚胺；

可移除的旋涂碳层，形成在所述包覆层的顶面上；

其中，所述包覆层被调节至相应厚度，以补偿所述包覆层与所述基底的弹性模量的差异，使得所述包覆层的顶面的热膨胀系数低于10^-7/^oK。

9.一种EUV掩模基版，其特征在于，包括：

如权利要求8所述的EUV级衬底；

反射膜堆栈层，形成在所述EUV级衬底的旋涂碳层上；

吸收层，形成在所述反射膜堆栈层上。

10.如权利要求9所述的EUV掩模基版，其特征在于，还包括：

覆盖层，形成在所述反射膜堆栈层的顶层反射膜和所述吸收层之间；以及，背面导电层，形成在所述EUV级衬底背向所述反射膜堆栈层的表面上。

11.一种EUV掩模版，其特征在于，所述EUV掩模版具有如权利要求9或10中任一项所述的EUV掩模基版，且所述EUV掩模版还具有第一图案和第二图案，所述第一图案形成在所述EUV掩模基版的吸收层中，所述第二图案贯穿所述EUV掩模基版的吸收层和反射膜堆栈层并暴露出所述EUV掩模基版的旋涂碳层的表面。