[发明专利]EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法

说明书

本发明提供了一种EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法，在基底上覆盖包覆层，并对包覆层的厚度进行调节，补偿弹性模量等物理参数的差异，进一步在包覆层的表面上覆盖旋涂碳层(Spin‑on Carbon，SOC)，使得所述EUV级衬底表面的热膨胀系数接近于0，进而可以获得低成本、高性能、低缺陷的EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩摸版。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法、衬底。

背景技术

随着集成电路制造工业的不断发展，例如极紫外光刻(extreme ultravioletlithography，简写为EUVL)等先进光刻技术已被广泛用。其中，EUV掩模版(photo mask)是光刻工艺中的重要组件。光刻工艺通常是，先在晶圆表面涂布光阻等光致抗蚀剂层，在光致抗蚀剂层干燥后，通过曝光设备将EUV掩模版上的图案以特定光源(例如极紫外光EUV)曝在该光致抗蚀剂层上，随后，再以显影剂将曝光后的光致抗蚀剂层显影，并利用显影出来的光致抗蚀剂层图形作为掩模，对晶圆进行蚀刻等工艺，并最终完成EUV掩模版上的图案向晶圆上的转移。

由于EUV光刻使用反射光学系统，因此EUV光刻的精确性会受到EUV掩模版的轻微热膨胀的影响，因此，制造低热膨胀、高平整度的EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版是至关重要的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法，能够有利于降低EUV掩模版的缺陷，进而提高EUV光刻的效果。

为实现上述目的，本发明提供一种EUV级衬底的制造方法，其包括：

提供基底，在所述基底的表面上形成具有负热膨胀系数的包覆层，所述包覆层的材料包括主链含酰胺结构的聚酰亚胺；

在所述包覆层的顶面上旋涂碳材料，以形成顶面平坦的旋涂碳层，进而形成EUV级衬底；

其中，在形成所述包覆层的过程中或者形成所述包覆层之后，调节所述包覆层的厚度至相应厚度，以补偿所述包覆层与所述基底的弹性模量的差异，使得所述包覆层的顶面的热膨胀系数低于10^-7/°K。

可选的，在所述基底的表面上形成包覆层的步骤包括：

步骤a，将基底浸入到相应的有机聚合物材料溶液中；

步骤b，将表面上附着有有机聚合物材料溶液的基底置于烘箱中，并采用阶梯程序升温进行固化和/或热化学反应，形成包覆层；

步骤c，重复执行步骤a和步骤b，直至形成的包覆层达到相应的厚度。

可选的，在所述基底的表面上形成包覆层的步骤包括：在所述基底的顶面上涂覆有机聚合物材料溶液，并进行烘烤固化，形成相应厚度的包覆层。

可选的，形成所述包覆层之后，通过对所述包覆层的顶面进行减薄，调节所述包覆层的厚度。

基于同一发明构思，本发明还提供一种EUV掩模基版的制造方法，其包括：

采用如本发明所述的EUV级衬底的制造方法，形成EUV级衬底；

在所述EUV级衬底的旋涂碳层上依次形成反射膜堆栈层和吸收层，以形成EUV掩模基版。

可选的，在所述旋涂碳层上形成所述反射膜堆栈层之后且在形成所述吸收层之前，还包括：在所述反射膜堆栈层上形成覆盖层；以及，

在形成所述吸收层之后，还包括：在所述衬底背向所述旋涂碳层的表面上形成背面导电层。

基于同一发明构思，本发明还提供一种EUV掩模版的制造方法，其包括：