[发明专利]半导体器件结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202211069117.6 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115863433A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 叶韦廷;颜鸿宇;彭羽筠;林耕竹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件结构和形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成牺牲基层以及在牺牲基层上方形成半导体堆叠件。半导体堆叠件具有位于牺牲基层上方的第一半导体层、位于第一半导体层上方的牺牲层和位于牺牲层上方的第二半导体层；在形成外延源极/漏极结构之前，去除牺牲基层，以在衬底和第一半导体层之间形成间隙；以及在间隙中形成含金属的多层介电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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