[发明专利]半导体器件结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，包括：

多个沟道结构，位于衬底上方；

栅极堆叠件，环绕所述多个沟道结构；以及

隔离结构，位于所述多个沟道结构中的一个底部沟道结构和所述衬底之间，其中，所述隔离结构具有第一含金属介电层和第二含金属介电层，并且所述隔离结构具有位于所述第一含金属介电层和所述第二含金属介电层之间的中间介电层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中：

所述第一含金属介电层和所述第二含金属介电层包含铝和氧；以及

所述中间介电层包含铝和氮。

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述中间介电层还包含氧。

4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中：

所述第一含金属介电层和所述第二含金属介电层包含铝和氧；以及

所述中间介电层包含硅和氧。

5.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其中，所述中间介电层还包含碳和氮。

6.一种形成半导体器件结构的方法，包括：

在衬底上方形成鳍结构，其中，所述鳍结构具有衬底部分、位于所述衬底部分上方的牺牲基层、以及位于所述牺牲基层上方的多个牺牲层和多个半导体层，其中，所述多个牺牲层和所述多个半导体层具有交替的配置；

形成包裹所述鳍结构的部分的栅极堆叠件；

去除所述牺牲基层以在所述衬底部分和所述多个半导体层中的一个底部半导体层之间形成凹槽；

在由所述凹槽暴露的所述衬底部分上方形成第一介电层，并且在由所述凹槽暴露的所述多个半导体层的所述一个底部半导体层上方形成第二介电层；以及

在所述第一介电层和所述第二介电层之间形成中间介电层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述第一介电层和所述第二介电层之间形成所述中间介电层包括将含氮等离子体引入到所述第一介电层和所述第二介电层之间的接缝中，从而使得所述第一介电层的部分和所述第二介电层的部分转变成所述中间介电层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括使所述第一介电层、所述中间介电层和所述第二介电层结晶。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，由所述栅极堆叠件包裹的所述鳍结构的所述部分是所述鳍结构的第一部分，所述凹槽是第一凹槽，并且所述方法还包括：

去除所述鳍结构的第二部分以形成第二凹槽；以及

在形成所述第一介电层、所述第二介电层和所述中间介电层之后，在所述第二凹槽中形成外延结构。

10.一种形成半导体器件结构的方法，包括：

在衬底上方形成牺牲基层；

在所述牺牲基层上方形成半导体堆叠件，其中，所述半导体堆叠件具有位于所述牺牲基层上方的第一半导体层、位于所述第一半导体层上方的牺牲层和位于所述牺牲层上方的第二半导体层；

在形成外延源极/漏极结构之前，去除所述牺牲基层，以在所述衬底和所述第一半导体层之间形成间隙；以及

在所述间隙中形成含金属的多层介电结构。