[发明专利]一种降低大尺寸N型直拉单晶硅片碎片率的拉制方法在审
| 申请号： | 202211065064.0 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115652426A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 刘立中;王军磊;王艺澄 | 申请（专利权）人： | 包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立 |
| 地址： | 014010 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低大尺寸N型直拉单晶硅片碎片率的拉制方法，具体：（1）将N型母合金、硅料、锗装入炉中的石英坩埚内，全熔稳定，将坩埚内的硅料熔化，待所述硅料完全熔化后将功率降至引晶功率；炉压设定10~14Torr；（2）然后将坩埚转速开至引晶转速，晶体转速采用高转速，转速在11~14转/分钟；（3）稳定熔体，引晶，高温熔接，采用Dash缩颈排除位错法引晶、放肩、转肩、等径，手动控制晶体等径生长至所需长度，待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制所述晶体生长、收尾以及停炉；该方法通过在拉制N型单晶硅片过程中，掺入一定浓度的锗元素，增加硅片的机械强度，从而降低大尺寸N型硅片在切割过程中的碎片问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 尺寸 型直拉 单晶硅 碎片 拉制 方法 | ||
【主权项】：
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