[发明专利]一种降低大尺寸N型直拉单晶硅片碎片率的拉制方法

权利要求书

1.一种降低大尺寸N型直拉单晶硅片碎片率的拉制方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

（1）将N型母合金、硅料、锗装入炉中的石英坩埚内，全熔稳定，将坩埚内的硅料熔化，待所述硅料完全熔化后将功率降至引晶功率；

炉压设定10~14Torr；

（2）然后将坩埚转速开至引晶转速，晶体转速采用高转速，转速在11~14转/分钟；

（3）稳定熔体，引晶，高温熔接，采用 Dash 缩颈排除位错法引晶 、放肩 、转肩 、等径，手动控制晶体等径生长至所需长度，待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制所述晶体生长、收尾以及停炉。

2.根据权利要求1所述的降低大尺寸N型直拉单晶硅片碎片率的拉制方法，其特征在于：所述步骤（1）中锗的浓度为5x10¹⁸at.cm^-3-5x10²⁰at.cm^-3。

3.根据权利要求1所述的降低大尺寸N型直拉单晶硅片碎片率的拉制方法，其特征在于：所述步骤（1）中硅料为原生硅料和回收料的混合物，按质量比计原生硅料：回收料=2:1。

4.根据权利要求3所述的降低大尺寸N型直拉单晶硅片碎片率的拉制方法，其特征在于：所述原生硅料为致密料、菜花料，所述回收料为边皮和头尾料的混合物。

5.根据权利要求1所述的降低大尺寸N型直拉单晶硅片碎片率的拉制方法，其特征在于：所述步骤（1）中硅料熔完控制熔体温度1480-1530℃。

6.根据权利要求1所述的降低大尺寸N型直拉单晶硅片碎片率的拉制方法，其特征在于：所述步骤（3）引晶时采用 Dash 缩颈排除位错法引晶，过程中细颈为 Φ5～Φ6mm 之间，长度 150mm。

7.根据权利要求1所述的降低大尺寸N型直拉单晶硅片碎片率的拉制方法，其特征在于：所述步骤（3）停炉时，收尾完成后晶体以 4 ～ 5mm/min 的拉速上升冷却，加热功率在30min 内降为零，晶体冷却时间为 6～8个小时。

8.根据权利要求1所述的降低大尺寸N型直拉单晶硅片碎片率的拉制方法，其特征在于：步骤（3）停炉后进行取棒拆炉，具体为：关闭炉中主室球阀后关闭主室真空泵电源，待氩气充至常压，开炉先取出晶体，后将石墨热场取出冷却清理。