[发明专利]半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构在审
| 申请号： | 202211044202.7 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115360162A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 张康 | 申请（专利权）人： | 成都奕斯伟系统集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构，本实施例中，通过在待涂胶对象上制作形成涂胶挡墙结构，然后对胶材进行稀释处理后通过涂胶挡槽进行涂胶作业形成涂胶层。通过这种方式，相较于现有的半导体器件结构的制程工艺中的涂胶方法，由于胶材经过稀释处理后，流动性较好，在涂胶挡槽内可以通过自流平的方式形成表面更为平整的涂胶层。此外，虽然胶材经过稀释处理，由于涂胶挡墙结构的存在，也可以容易的形成特定厚度的涂胶层。相较于现有的未设置涂胶挡墙结构的方法，不会因为胶材被稀释而难以形成所需厚度的涂胶层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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