[发明专利]半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构

说明书

本申请实施例提供一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构，本实施例中，通过在待涂胶对象上制作形成涂胶挡墙结构，然后对胶材进行稀释处理后通过涂胶挡槽进行涂胶作业形成涂胶层。通过这种方式，相较于现有的半导体器件结构的制程工艺中的涂胶方法，由于胶材经过稀释处理后，流动性较好，在涂胶挡槽内可以通过自流平的方式形成表面更为平整的涂胶层。此外，虽然胶材经过稀释处理，由于涂胶挡墙结构的存在，也可以容易的形成特定厚度的涂胶层。相较于现有的未设置涂胶挡墙结构的方法，不会因为胶材被稀释而难以形成所需厚度的涂胶层。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构。

背景技术

在半导体器件结构(如芯片封装结构)的制造过程中，涂胶工艺不可避免。例如，在器件结构的制作过程中，经常需要在电子器件表面(如芯片的表面)进行涂胶作业(如进行PI胶或PR胶的涂布)。然而，发明人经研究发现，这种传统的涂胶方式，难以使得胶层表面具有较高的平整性，影响整个半导体器件的制作效果和器件质量。

发明内容

基于上述内容，为解决上述问题，本申请提供一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构，可以。

首先，第一方面，本申请实施例提供一种半导体器件结构的制造方法，所述方法包括：

提供一待涂胶对象，并在所述待涂胶对象上形成涂胶挡墙结构，使所述涂胶挡墙结构围绕所述待涂胶对象上的待涂胶区域设置并形成用于对所述待涂胶区域进行涂胶作业的涂胶挡槽；

在待涂布的胶材中添加胶材稀释剂，对所述待涂布的胶材进行稀释处理；

通过所述涂胶挡槽在所述待涂胶对象上涂布经过稀释处理后的胶材，形成涂胶层。

基于本申请第一方面的一种可能的实现方式，提供所述待涂胶对象，包括：

基于一基底制作形成芯片，并对所述芯片通过塑封层进行封装，形成芯片封装结构，由所述芯片封装结构作为所述待涂胶对象。

基于本申请第一方面的一种可能的实现方式，所述方法还包括：

对所述涂胶层进行图案化，得到用于形成重布线结构的图案化窗口；

通过所述图案化窗口制作形成重布线层，使所述重布线层穿过所述涂胶层与所述芯片封装结构中的芯片的芯片引脚连接。

基于本申请第一方面的一种可能的实现方式，所述待涂胶对为一基板，所述方法还包括：

基于所述涂胶层制作形成重布线层；

在所述重布线层上制作芯片封装结构，其中，所述重布线层穿过所述涂胶层与所述芯片封装结构中的芯片引脚连接。

基于本申请第一方面的一种可能的实现方式，所述方法还包括，在所述芯片封装结构制作完成后，去除所述基板。

基于本申请第一方面的一种可能的实现方式，所述涂胶层的厚度小于所述涂胶挡墙结构的高度。

基于本申请第一方面的一种可能的实现方式，所述方法还包括：

对所述涂胶挡墙结构进行研磨，以去除所述涂胶挡墙结构的多余部分。

第二方面，本申请实施例还提供一种半导体器件结构，包括待涂胶对象、涂胶挡墙结构、以及涂胶层；

其中，所述涂胶挡墙结构位于所述待涂胶对象上、所述涂胶挡墙结构围绕所述待涂胶对象上的待涂胶区域设置形成用于对所述待涂胶区域进行涂胶作业的涂胶挡槽，所述涂胶层位于所述涂胶挡槽内。