[发明专利]碳化硅器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211043513.1 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115424934A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 毕建雄 | 申请（专利权）人： | 中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅器件及其制备方法，其中碳化硅器件的制备方法包括：提供基底结构；利用光刻工艺在基底结构上形成图案化的第一掩膜结构；利用图案化的第一掩膜结构在基底结构中形成第一导电类型的第一离子注入层和第一导电类型的第二离子注入层；利用光刻工艺在基底结构上形成图案化的第二掩膜结构；利用图案化的第二掩膜结构在基底结构中形成第一沟槽及第二导电类型的离子注入层；形成隔离层于第一沟槽的侧壁上；利用隔离层在基底结构中形成第二沟槽；形成栅极结构于所述第二沟槽中。本发明提供的碳化硅器件的制备方法能够降低碳化硅器件制备过程中所需的流程时间和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
