[发明专利]一种基于二碲化钼/二硫化钼异质结的SiC基光电探测器及其制备方法和应用

摘要

本发明属于紫外‑可见‑红外光探测技术领域，公开了一种基于二碲化钼/二硫化钼异质结的SiC基光电探测器及其制备方法和应用。该光电探测器的结构为n+SiC/n‑SiC/MoS2/MoTe2异质结/对称电极；是先将MoS2纳米片和MoTe2纳米片部分重叠，构建垂直MoS2/MoTe2异质结，再将其转移至清洗后的n+SiC/n‑SiC衬底上，分别在异质结区域外的MoTe2纳米片与MoS2纳米片上蒸镀对称电极，保护气氛下在150～250℃退火制得。本发明的SiC基光电探测器具有明显的整流行为，极低的暗电流，并在250～1550nm宽谱波段具有优异的光响应性能，拓宽了SiC基光电探测器的应用范围。