[发明专利]一种基于二碲化钼/二硫化钼异质结的SiC基光电探测器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种基于二碲化钼/二硫化钼异质结的SiC基光电探测器，其特征在于，所述光电探测器的结构为n⁺SiC/n^-SiC/MoS₂/MoTe₂异质结/对称电极；其中，MoTe₂/MoS₂异质结作为可见-红外光吸收层，n⁺SiC/n^-SiC衬底作为紫外吸光层；所述光电探测器是先将MoS₂纳米片和MoTe₂纳米片重叠，重叠部分构建制得垂直MoS₂/MoTe₂异质结，随后将n⁺SiC/n^-SiC衬底进行清洗，再将MoS₂/MoTe₂异质结转移至n⁺SiC/n^-SiC衬底上，分别在异质结区域外的MoTe₂纳米片与MoS₂纳米片上蒸镀对称电极，保护气氛条件下在150～250℃退火制得。

2.根据权利要求1所述的基于二碲化钼/二硫化钼异质结的SiC基光电探测器，其特征在于，所述MoS₂纳米片和MoTe₂纳米片的制备方法均为机械剥离法、物理气相沉积法或化学气相沉积法。

3.根据权利要求1所述的基于二碲化钼/二硫化钼异质结的SiC基光电探测器，其特征在于，所述n⁺SiC/n^-SiC衬底由半绝缘掺杂的n⁺SiC层和半绝缘的n^-SiC外延层组成，其中n⁺SiC的厚度为300～400μm，电子掺杂浓度为1～9×10¹⁹cm^-3，n^-SiC外延层的厚度为200nm～11μm，电子掺杂浓度为1～9×10¹⁵cm^-3。

4.根据权利要求1所述的基于二碲化钼/二硫化钼异质结的SiC基光电探测器，其特征在于，所述MoS₂纳米片的厚度为0.7～80nm，MoTe₂纳米片的厚度为0.7～80nm，所述MoS₂纳米片和MoTe₂纳米片的横向尺寸均为10～300μm。

5.根据权利要求1所述的基于二碲化钼/二硫化钼异质结的SiC基光电探测器，其特征在于，所述保护气氛为氮气或氩气。

6.根据权利要求1所述的基于二碲化钼/二硫化钼异质结的SiC基光电探测器，其特征在于，所述对称电极为Ti/Au或Cr/Au，所述Ti/Au或Cr/Au中Ti或Cr的厚度均为3～10nm，Au的厚度均为20～100nm。