[发明专利]改善断裂的发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211024521.1 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115472722A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;王江波;吴志浩;张威 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/24;H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种改善断裂的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：基板、外延层、第一电极和第二电极，所述外延层在所述基板上的正投影为矩形，所述外延层的表面具有凹槽，所述凹槽位于所述矩形的一条侧边处，且由所述侧边的一端延伸至另一端，所述第一电极位于所述凹槽中，所述第二电极位于所述凹槽外。本公开实施例能提升发光二极管的强度，改善外延层上开设凹槽后，发光二极管容易断裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 断裂 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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