[发明专利]改善断裂的发光二极管及其制备方法

说明书

本公开提供了一种改善断裂的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：基板、外延层、第一电极和第二电极，所述外延层在所述基板上的正投影为矩形，所述外延层的表面具有凹槽，所述凹槽位于所述矩形的一条侧边处，且由所述侧边的一端延伸至另一端，所述第一电极位于所述凹槽中，所述第二电极位于所述凹槽外。本公开实施例能提升发光二极管的强度，改善外延层上开设凹槽后，发光二极管容易断裂的问题。

技术领域

本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种改善断裂的发光二极管及其制备方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)是指边长在10μm至100μm的超小发光二极管，微型发光二极管的体积小，可以更密集的设置排列而大幅度提高分辨率，并且具有自发光特性，具有高亮度、高对比度、高反应性及省电的特点。

相关技术中，发光二极管芯片通常包括基板、外延层和两个电极，外延层包括依次层叠在基板上的n型层、多量子阱层和p型层。其中，一个电极位于p型层上与p型层电连接，并且，外延层上还设置有露出n型层的凹槽，将另一个电极设置于凹槽内，以让另一个电极与n型层电连接。

由于外延层上刻蚀形成凹槽后，会在一定程度上削弱外延层的强度，从而导致发光二极管在形成凹槽的台阶处容易出现断裂的问题。

发明内容

本公开实施例提供了一种改善断裂的发光二极管及其制备方法，能提升发光二极管的强度，改善外延层上开设凹槽后，发光二极管容易断裂的问题。所述技术方案如下：

一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：基板、外延层、第一电极和第二电极，所述外延层在所述基板上的正投影为矩形，所述外延层的表面具有凹槽，所述凹槽位于所述矩形的一条侧边处，且由所述侧边的一端延伸至另一端，所述第一电极位于所述凹槽中，所述第二电极位于所述凹槽外。

可选地，所述凹槽的槽宽与所述矩形上所述凹槽所在侧边相邻的侧边的长度的比值不大于1/5。

可选地，所述凹槽的侧壁与所述凹槽的底面的夹角为钝角。

可选地，所述钝角不大于120°。

可选地，所述外延层包括依次层叠的n型层、多量子阱层和p型层，所述凹槽位于所述p型层的表面且露出所述n型层；所述p型层的第一局部区域注入有硅离子，且所述第一局部区域与所述凹槽相邻。

可选地，所述第一局部区域包括第一框形部和第二框形部，所述第一框形部沿所述p型层的边缘延伸，所述第二框形部位于所述第一框形部内，所述第一框形部中单位体积注入的硅离子的量高于所述第二框形部中单位体积注入的硅离子的量。

可选地，所述p型层的第二局部区域注入有硅离子，所述第二局部区域呈弧形，且位于所述第二框形部内，所述第二局部区域中单位体积注入的硅离子的量高于所述第二框形部中单位体积注入的硅离子的量，且低于所述第一框形部中单位体积注入的硅离子的量。

可选地，在所述p型层的厚度方向上，所述第一局部区域和所述第二局部区域均位于所述p型层的中部。

另一方面，本公开实施例还提供了一种改善光效的发光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：提供一基板；在所述基板上形成外延层，所述外延层在所述基板上的正投影为矩形，所述外延层的表面具有凹槽，所述凹槽位于所述矩形的一条侧边处，且由所述侧边的一端延伸至另一端；在所述外延层上制作第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述凹槽中，所述第二电极位于所述凹槽外。