[发明专利]半导体制造装置用部件在审
| 申请号： | 202211023886.2 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN116344428A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 井上靖也;久野达也;宫本宽大 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体制造装置用部件，能够抑制在晶片与导电性基材之间发生放电。半导体制造装置用部件(10)具备：陶瓷板(20)；金属接合层(40)及冷却板(30)(导电性基材)，它们设置于陶瓷板(20)的下表面；第一孔(24)，其沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)；以及贯通孔(42)及气体孔(34)(第二孔)，它们沿着上下方向贯穿导电性部件，且与第一孔(24)连通。多孔质插塞(50)的上表面在第一孔(24)的上部开口露出，下表面位于导电性基材的上表面以下。绝缘管(60)的上表面位于比晶片载放面(21)更靠下方的位置，下表面位于比多孔质插塞(50)的下表面更靠下方的位置。一体化部件(As)是通过多孔质插塞(50)和绝缘管(60)被一体化而得到的，其外周面通过从第一孔(24)的上表面至第二孔的内部的粘接层(70)而被固定于第一孔(24)及第二孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 部件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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