[发明专利]半导体制造装置用部件

说明书

本发明提供一种半导体制造装置用部件，能够抑制在晶片与导电性基材之间发生放电。半导体制造装置用部件(10)具备：陶瓷板(20)；金属接合层(40)及冷却板(30)(导电性基材)，它们设置于陶瓷板(20)的下表面；第一孔(24)，其沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)；以及贯通孔(42)及气体孔(34)(第二孔)，它们沿着上下方向贯穿导电性部件，且与第一孔(24)连通。多孔质插塞(50)的上表面在第一孔(24)的上部开口露出，下表面位于导电性基材的上表面以下。绝缘管(60)的上表面位于比晶片载放面(21)更靠下方的位置，下表面位于比多孔质插塞(50)的下表面更靠下方的位置。一体化部件(As)是通过多孔质插塞(50)和绝缘管(60)被一体化而得到的，其外周面通过从第一孔(24)的上表面至第二孔的内部的粘接层(70)而被固定于第一孔(24)及第二孔。

技术领域

本发明涉及一种半导体制造装置用部件。

背景技术

以往，作为半导体制造装置用部件，已知有如下的半导体制造装置用部件，其具备在上表面具有晶片载放面的静电卡盘。例如，关于专利文献1的静电卡盘，公开了如下，该静电卡盘具备：陶瓷板，其对晶片进行吸附保持；贯通孔，其形成于陶瓷板；多孔质插塞，其配置于贯通孔；以及导电性冷却板，其粘接于陶瓷板的下表面。多孔质插塞的下表面与陶瓷板的下表面一致。在利用等离子体对载放于晶片载放面的晶片进行处理的情况下，向冷却板、与在晶片的上部所配置的平板电极之间施加高频电力，使晶片的上部产生等离子体。与此同时，为了使晶片与陶瓷板的热传导提高，将作为热传导气体的氦经由多孔质插塞而向晶片的背面供给。如果没有多孔质插塞，则随着氦电离而产生的电子会加速，碰撞其他氦，从而发生电弧放电，不过，如果具有多孔质插塞，则电子碰撞其他氦之前，会撞到多孔质插塞，因此，电弧放电得以抑制。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-29384号公报

发明内容

然而，随着工艺的高功率化，晶片与冷却板之间产生的电位差增大，在上述静电卡盘中，由于多孔质插塞本身的耐电压较低，所以，有时在多孔质插塞内发生火花放电而导致晶片变质。

本发明是为了解决上述课题而实施的，其主要目的在于，具备多孔质插塞的半导体制造装置用部件能够抑制在晶片与导电性基材之间发生电弧放电及火花放电。

本发明的半导体制造装置用部件具备：

陶瓷板，该陶瓷板在上表面具有晶片载放面；

导电性基材，该导电性基材设置于所述陶瓷板的下表面；

第一孔，该第一孔沿着上下方向贯穿所述陶瓷板；

第二孔，该第二孔沿着上下方向贯穿所述导电性基材，且与所述第一孔连通；

多孔质插塞，该多孔质插塞的上表面在所述第一孔的上部开口露出，下表面位于所述导电性基材的上表面以下；

绝缘管，该绝缘管的上表面位于比所述晶片载放面更靠下方的位置，下表面位于比所述多孔质插塞的下表面更靠下方的位置；以及

一体化部件，该一体化部件是通过所述多孔质插塞和所述绝缘管被一体化而得到的，外周面通过从所述第一孔的上表面至所述第二孔的内部的粘接层而被固定于所述第一孔及所述第二孔。