[发明专利]基于ScAlN/AlGaAs异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202211010681.0 | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN115332333A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;王雨佳;韩红波;刘旭;王若冰;胡琳琳;吴前龙;贠博祥;张涛;张雅超;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/04;H01L29/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaAs异质结的高电子迁移率晶体管，主要解决现有HEMT器件中异质结界面处由于极化效应较弱导致二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：GaAs衬底(1)、AlGaAs沟道层(2)、ScAlN势垒层(3)；该ScAlN势垒层的两端设有漏极(4)和源极(5)，中间设有栅极(6)，其漏、栅电极之间和源、栅电极之间淀积有Si |
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| 搜索关键词： | 基于 scaln algaas 异质结 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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