[发明专利]具有密集元胞的碳化硅沟槽型MOSFET晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202211010354.5 | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN115084237B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 崔京京;章剑锋 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 魏润洁 |
| 地址： | 330052 江西省南昌市南昌县*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有密集元胞的碳化硅沟槽型MOSFET晶体管及其制造方法，涉及半导体器件技术领域。碳化硅沟槽型MOSFET晶体管包括：第一掺杂类型的碳化硅衬底，碳化硅衬底包括第一表面，第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；设置在外延层内的多个元胞结构，元胞结构包括栅极沟槽结构；每个元胞结构的外围区域设置有钳位保护结构，钳位保护结构用于保护栅极沟槽结构的角部处的栅极氧化层。根据本申请能够将栅极沟槽结构的角部处的栅极氧化层承受的电场强度钳位在安全值以下，进而能够保护栅极沟槽结构的角部处，提高晶体管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 密集 碳化硅 沟槽 mosfet 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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