[发明专利]一种封装方法及使用其制成的封装结构在审
| 申请号： | 202211004427.X | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115472509A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 罗姜姜;何志丹;焦洁;曾昭孔 | 申请（专利权）人： | 通富超威（苏州）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 向亚兰 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种封装方法及使用其制成的封装结构，该封装方法包括：在芯片的上表面设置有机可碳化基材，激光辐照该有机可碳化基材以发生碳化，在碳化过程中产生气体并逸出，形成具有孔隙且附着在芯片的上表面的多孔碳层，在多孔碳层的远离其自身边缘的位置区域上开设至少一个上下贯通的镂空区域，将热界面材料设置于多孔碳层上，预热处理，使热界面材料能够流动以部分渗透至孔隙和/或镂空区域中，形成热界面材料与多孔碳层的组合体，将散热盖部分贴装在组合体上；以及上述方法制成的封装结构，该方法能够避免现有热界面材料贴装在芯片上可能存在的强度较低易发生界面分层、导热性不佳、熔融时易发生飞溅从而导致被动元件短路等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 方法 使用 制成 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通富超威（苏州）微电子有限公司，未经通富超威（苏州）微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211004427.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
