[发明专利]一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法有效
| 申请号： | 202211003002.7 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115101476B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 张长沙;李昀佶;李佳帅;何佳 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L29/417 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅衬底上方形成第一N型区以及第二N型区；对第一N型区以及第二N型区进行离子注入，形成第一源区、第二源区、第三源区以及第四源区；在碳化硅衬底上方重新形成第一阻挡层，并对第一阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底进行氧化，形成第一栅极绝缘层；在碳化硅衬底下方重新形成第二阻挡层，并对第二阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底进行氧化，形成第二栅极绝缘层；通过淀积方式，形成第一源极金属层、第二源极金属层、第一漏极金属层、第二漏极金属层、第一栅极金属层以及第二栅极金属层，提高器件的电流能力，增加器件驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电流 能力 对称 碳化硅 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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