[发明专利]一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法

说明书

本发明提供了一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅衬底上方形成第一N型区以及第二N型区；对第一N型区以及第二N型区进行离子注入，形成第一源区、第二源区、第三源区以及第四源区；在碳化硅衬底上方重新形成第一阻挡层，并对第一阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底进行氧化，形成第一栅极绝缘层；在碳化硅衬底下方重新形成第二阻挡层，并对第二阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底进行氧化，形成第二栅极绝缘层；通过淀积方式，形成第一源极金属层、第二源极金属层、第一漏极金属层、第二漏极金属层、第一栅极金属层以及第二栅极金属层，提高器件的电流能力，增加器件驱动能力。

技术领域

本发明涉及一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法。

背景技术

SiC器件碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，广泛受到人们的关注和研究。在当下对于SiC器件的研究还主要集中在纵向功率器件中，对于SiC集成电路的研究还相对较少。尤其是对于集成电路中横向器件的器件结构研究更少，仅就最基础的对称横向器件集成做研究。

现有技术中存在SiC器件本征载流子浓度较低，饱和迁移率较低的问题。故在高速小尺寸集成电路中存在器件响应速度慢，相同驱动能力要求下器件的尺寸更大。

发明内容

本发明要解决的技术问题，在于提供一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法，提高器件的电流能力，增加器件驱动能力。

本发明是这样实现的：一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法，具体包括如下步骤：

步骤1：在碳化硅衬底上方形成第一阻挡层，并对第一阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底进行离子注入，在碳化硅衬底下方形成第二阻挡层，并对第二阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底进行离子注入，最终形成第一N型区以及第二N型区；

步骤2：在碳化硅衬底上方重新形成第一阻挡层，并对第一阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔区域对第一N型区以及第二N型区进行离子注入，形成第一源区以及第三源区，在碳化硅衬底下方重新形成第二阻挡层，并对第二阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔区域对第一N型区以及第二N型区进行离子注入，形成第二源区以及第四源区；

步骤3：在碳化硅衬底上方重新形成第一阻挡层，并对第一阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底进行氧化，形成第一栅极绝缘层；在碳化硅衬底下方重新形成第二阻挡层，并对第二阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔区域对碳化硅衬底进行氧化，形成第二栅极绝缘层；

步骤4：重新形成第一阻挡层，并对第一阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对第一源区淀积，形成第一源极金属层，重新形成第二阻挡层，并对第二阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对第二源区淀积，形成第二源极金属层；

步骤5：重新形成第一阻挡层，并对第一阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对第三源区淀积，形成第一漏极金属层，重新形成第二阻挡层，并对第二阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对第四源区淀积，形成第二漏极金属层；

步骤6：重新形成第一阻挡层，并对第一阻挡层蚀刻栅极金属淀积区，淀积形成第一栅极金属层，重新形成第二阻挡层，并对第二阻挡层蚀刻栅极金属淀积区，淀积形成第二栅极金属层。

进一步地，所述碳化硅衬底为P型。

进一步地，所述第一源区、第二源区、第三源区以及第四源区均为N+型。

本发明的优点在于：

一、在MOSFET的上下方的栅氧靠近体内层表面构建导电沟道，同时构建的沟道可以提高器件的电流能力，增加器件驱动能力；

二、器件的源极和漏极是完全对称的结构，器件的源极和漏极可以调换使用；