[发明专利]一种激光器芯片的制作方法在审
| 申请号： | 202210997237.6 | 申请日： | 2022-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN115395366A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 王健;刘也;刘应军 | 申请（专利权）人： | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/20;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448 | 代理人： | 王妍 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种激光器芯片的制作方法，包括：制备外延片晶圆；在非吸收区之外的区域上形成第一掩膜层，并在非吸收区上形成第二掩膜层；对外延片晶圆进行退火处理；去除第一掩膜层及第二掩膜层；对去除第一掩膜层及第二掩膜层的外延片晶圆进行后续的流片工艺。该方法可以避免含Al激光器的材料氧化，而且使非吸收区的吸收系数更小，并缓解发光区量子阱质量的退化，从而进一步提高激光器芯片的稳定性与可靠性。并且工艺流程简单，且无需对接生长，成本更低，而且用第一掩膜层和第二掩膜层来分别抑制和促进有源区量子阱混杂，可以降低退火时需要的温度和时长，有利于保护有源区的量子阱质量，也提高了工艺的可操作性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光器 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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