[发明专利]一种激光器芯片的制作方法

权利要求书

1.一种激光器芯片的制作方法，其特征在于，包括：

制备外延片晶圆，所述外延片晶圆沿竖直方向从下到上依次包括衬底、缓冲层、下限制层、量子阱有源层、上限制层、波导层、腐蚀阻止层、上包层和欧姆接触层，且所述欧姆接触层在长度方向的两端分别设有非吸收区，两个所述非吸收区之间设有发光区；

在所述非吸收区之外的区域上形成第一掩膜层，并在所述非吸收区上形成第二掩膜层；

对所述外延片晶圆进行退火处理；

去除退火处理后的外延片晶圆上的第一掩膜层及第二掩膜层；

对去除所述第一掩膜层及所述第二掩膜层的外延片晶圆进行后续的流片工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述非吸收区之外的区域上形成第一掩膜层，并在所述非吸收区上形成第二掩膜层，包括：

在所述欧姆接触层上沉积第一预设厚度的第一掩膜层；

在所述第一掩膜层上涂覆光刻胶；

去除所述第一掩膜层的第一目标区域上的光刻胶，以形成非吸收区窗口，所述第一目标区域为第一掩膜层上与所述非吸收区相对应的区域；

去除所述非吸收区窗口对应的第一掩膜层；

将所述第一掩膜层上剩余的光刻胶全部去除，以在所述非吸收区之外的区域上形成第一掩膜层；

在所述欧姆接触层的非吸收区及第一掩膜层上沉积第二预设厚度的第二掩膜层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶，所述去除所述第一掩膜层上与所述非吸收区相对应的区域的光刻胶，以形成非吸收区窗口，包括：

利用步进式电子束或者掩膜光刻板，对所述第一掩膜层的第一目标区域的光刻胶进行曝光；

将曝光后的外延片晶圆放入显影液中，去除所述第一目标区域的光刻胶，以形成非吸收区窗口。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为负性光刻胶，所述去除所述第一掩膜层上与所述非吸收区相对应的区域的光刻胶，以形成非吸收区窗口，包括：

利用步进式电子束或者掩膜光刻板，对所述第一掩膜层的其他区域的光刻胶进行曝光，所述第一掩膜层的其他区域为所述第一掩膜层上所述第一目标区域以外的区域；

将曝光后的外延片晶圆放入显影液中，去除所述第一目标区域的光刻胶，以形成非吸收区窗口。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述欧姆接触层的非吸收区及第一掩膜层上沉积第二预设厚度的第二掩膜层，包括：

利用PECVD工艺，在所述在欧姆接触层的非吸收区及第一掩膜层上沉积20纳米到500纳米厚度的第二掩膜层，并在沉积所述第二掩膜层的过程中，通入纯硅烷与氨气的混合气或者氨气与氮气的混合气，在氮气环境下进行电离来沉积所述第二掩膜层，其中，所述第二掩膜层的折射率为1.9-2.2，所述PECVD工艺中的射频功率为10瓦-60瓦。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述非吸收区之外的区域上形成第一掩膜层，并在所述非吸收区上形成第二掩膜层，包括：

在所述欧姆接触层上沉积第二预设厚度的第二掩膜层；

在所述第二掩膜层上涂覆光刻胶；

去除所述第二掩膜层的其他区域上的光刻胶，以使所述其他区域的第二掩膜层露出，所述第二掩膜层的其他区域为所述第二掩膜层上第二目标区域以外的区域，所述第二目标区域为所述第二掩膜层上与所述非吸收区相对应的区域；

去除所述其他区域上的第二掩膜层；

将所述第二掩膜层上剩余的光刻胶全部去除，以在所述非吸收区上形成第二掩膜层；

在所述欧姆接触层上非吸收区之外的区域及所述第二掩膜层沉积第一预设厚度的第一掩膜层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶，所述去除所述第二掩膜层的其他区域上的光刻胶，以使所述其他区域的第二掩膜层露出，包括：

利用步进式电子束或者掩膜光刻板，对所述第二掩膜层的其他区域的光刻胶进行曝光；

将曝光后的外延片晶圆放入显影液中，去除所述其他区域上的光刻胶，以所述其他区域的第二掩膜层露出。