[发明专利]一种二维半导体双异质结高效发光器件在审
| 申请号： | 202210992640.X | 申请日： | 2022-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115498075A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 李永卓;冯家斌;宁存政;孙皓;甘霖 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 孟洋 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种二维半导体双异质结高效发光器件，包括：绝缘衬底；两个栅极，位于绝缘衬底；氮化硼介电层，位于栅极上；半导体发光层，位于氮化硼介电层上；半导体载流子输运层，位于半导体发光层上；源漏电极，位于半导体载流子输运层上；氮化硼保护层，位于源漏电极上；发光器件工作时在两个栅极上分别施加正负电压，分别产生P型半导体和N型半导体形成半导体双异质结，并在源漏电极施加偏压。本发明能降低器件串联电阻，提升器件的饱和电流，因此可以提升器件的发光强度、提升器件的功率效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 半导体 双异质结 高效 发光 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210992640.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：拼接显示装置
- 下一篇：一种提高大规格DC53冷作模具钢性能的处理方法
