[发明专利]一种二维半导体双异质结高效发光器件

权利要求书

1.一种二维半导体双异质结高效发光器件，其特征在于，包括：

绝缘衬底；

两个栅极，位于所述绝缘衬底；

氮化硼介电层，位于所述栅极上；

半导体发光层，位于所述氮化硼介电层上；

半导体载流子输运层，位于所述半导体发光层上；

源漏电极，位于所述半导体载流子输运层上；

氮化硼保护层，位于所述源漏电极上；

所述发光器件工作时在所述两个栅极上分别施加正负电压，分别产生P型半导体和N型半导体形成半导体双异质结，并在所述源漏电极施加偏压。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述栅极间距为200-2000nm，所述栅极包括金、铬、银、铝金属材料中的一种。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述氮化硼介电层的厚度为20-40nm，所述氮化硼介电层的材料包括三氧化二铝、二氧化硅和氮化硅绝缘材料中的一种。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述半导体发光层的发光材料，为窄带隙二维半导体材料。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述半导体发光层，包括单层或双层二碲化钼、黑磷材料。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述半导体载流子输运层，包括2-20层二硒化钨的宽带隙二维半导体材料。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述源漏电极为金属材料或薄层石墨材料，所述源漏电极的间距为1-10μm。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述氮化硼保护层的厚度小于20nm，所述氮化硼保护层的材料包括三氧化二铝、二氧化硅和氮化硅绝缘材料中的一种。