[发明专利]一种高阻值半导体结构、自旋电子器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210983344.3 | 申请日： | 2022-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN115347114A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 芦红;李秉欣;丁元丰;谢景龙 | 申请（专利权）人： | 南京大学;南京磊帮半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高阻值半导体结构及其制备方法。该结构包括：自下而上依次为衬底、高阻值缓冲层、拓扑材料层，高阻值缓冲层为III‑V族半导体层，其中，高阻值缓冲层的厚度为5‑50 nm。本发明还公开了一种基于高阻值半导体结构的自旋电子器件结构。高阻值半导体结构通过在拓扑材料层和衬底间引入高阻值缓冲层，在保证拓扑材料层质量的同时，极大地提高了拓扑材料层的外延成功率和可控性，并且可以极大地减小输运实验和器件应用中衬底的分流效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻值 半导体 结构 自旋 电子器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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