[发明专利]具有单个绝缘层的宽带隙半导体双极电荷俘获非易失性存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202210969760.8 | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN115706161A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈敬;郑柘炀;陈涛;张力 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/24;H01L29/20;H01L29/16;H10B43/00;H01L27/085;H01L21/8232;H03K19/094 |
| 代理公司： | 北京世峰知识产权代理有限公司 11713 | 代理人： | 卓霖;许向彤 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种仅具有一个单个绝缘层的宽带隙半导体双极电荷俘获(BCT)非易失性存储器结构及其制造方法。本申请还提供了一种基于所提出的存储器结构的用于氮化镓(GaN)基互补逻辑(CL)门的单片集成增强型(E‑mode)n沟道和p沟道场效应晶体管(n‑FET和p‑EFT)、以及在单次工艺运行中的制造所述场效应晶体管的方法和结合有一个或更多个所述GaN基CL门的多种逻辑电路。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单个 绝缘 宽带 半导体 电荷 俘获 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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