[发明专利]一种外电场辅助制备钙钛矿薄膜的方法和光电器件在审
申请号: | 202210948439.1 | 申请日: | 2022-08-09 |
公开(公告)号: | CN115036430A | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 李卫东;刘庆伏;伏林;赵东明;赵政晶 | 申请(专利权)人: | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/00;H01L51/42 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王欢 |
地址: | 102209 北京市昌平区北七*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种外电场辅助制备钙钛矿薄膜的方法和光电器件,方法包括以下步骤:将钙钛矿活性层的前驱体溶液采用液相成膜法在透明电极‑电荷传输层基底上形成液态膜;将所述液态膜直接退火;或进行反溶剂法成膜后退火;或真空闪蒸成膜后退火,得到钙钛矿薄膜;在退火过程中外加电场诱导结晶,所述外加电场的电压3V;所述外加电场的方向垂直于薄膜平面。本发明通过外加电池辅助钙钛矿结晶,提高了钙钛矿材料的晶粒尺寸,结晶度提高;相较于未加外电场,退火温度可适当降低。本发明提供的方法制备的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿电池的光电转换效果得到优化,器件稳定性增强。 | ||
搜索关键词: | 一种 外电 辅助 制备 钙钛矿 薄膜 方法 光电 器件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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