[发明专利]一种外电场辅助制备钙钛矿薄膜的方法和光电器件在审

专利信息
申请号: 202210948439.1 申请日: 2022-08-09
公开(公告)号: CN115036430A 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 李卫东;刘庆伏;伏林;赵东明;赵政晶 申请(专利权)人: 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能新能源股份有限公司
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/00;H01L51/42
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王欢
地址: 102209 北京市昌平区北七*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种外电场辅助制备钙钛矿薄膜的方法和光电器件,方法包括以下步骤:将钙钛矿活性层的前驱体溶液采用液相成膜法在透明电极‑电荷传输层基底上形成液态膜;将所述液态膜直接退火;或进行反溶剂法成膜后退火;或真空闪蒸成膜后退火,得到钙钛矿薄膜;在退火过程中外加电场诱导结晶,所述外加电场的电压3V;所述外加电场的方向垂直于薄膜平面。本发明通过外加电池辅助钙钛矿结晶,提高了钙钛矿材料的晶粒尺寸,结晶度提高;相较于未加外电场,退火温度可适当降低。本发明提供的方法制备的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿电池的光电转换效果得到优化,器件稳定性增强。
搜索关键词: 一种 外电 辅助 制备 钙钛矿 薄膜 方法 光电 器件
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