[发明专利]一种外电场辅助制备钙钛矿薄膜的方法和光电器件

权利要求书

1.一种外电场辅助制备钙钛矿薄膜的方法，包括以下步骤：

将钙钛矿活性层的前驱体溶液采用液相成膜法在透明电极-空穴传输层基底上形成液态膜；

将所述液态膜直接退火；或进行反溶剂法成膜后退火；或真空闪蒸成膜后退火，得到钙钛矿薄膜；

在退火过程中外加电场诱导结晶，所述外加电场的电压3V；所述外加电场的方向垂直于薄膜平面；

所述退火的温度为60~200℃。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外加电场的时间为5~60min。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外加电场的电压正交直流可调。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外加电场采用金属电极和氧化物电极；

所述金属电极连接正极；所述氧化物电极连接负极。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属电极选自Au、Ag、Cu或Al；

所述氧化物电极选自ITO、FTO、SnO₂或Al₂O₃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿薄膜的组成为AMX₃；

所述A为有机阳离子和/或无机阳离子；

所述M为二价金属离子；

所述X选自I^-、Br^-、Cl^-和/或F^-。

7.一种光电器件，其特征在于，包括权利要求1~6任一项所述制备方法制备的钙钛矿薄膜。