[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 202210915299.8 | 申请日： | 2022-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN115832023A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 狩野太一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，不增加系列数就能够选择适当的电阻值。半导体元件具备：第一电阻层；第二电阻层，其与第一电阻层分离地设置，第二电阻层的电阻值与第一电阻层的电阻值不同；第一外部连接电极，其电连接于第一电阻层的一端侧；第二外部连接电极，其与第一外部连接电极分离地设置，电连接于第二电阻层的一端侧；以及保护膜，其覆盖第一外部连接电极和第二外部连接电极，在保护膜的一部分具有使第一外部连接电极的上表面的一部分露出的第一开口部和使第二外部连接电极的上表面的一部分露出的第二开口部，其中，第一开口部的平面图案的形状与第二开口部的平面图案的形状互不相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
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