[发明专利]基于纵向渐变p型掺杂浓度结构的氧化镓pn二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202210869618.6 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115064581A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;张翔宇;洪悦华;何云龙;苑子健;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/36;H01L29/45;H01L21/34 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于纵向渐变p型掺杂浓度结构的氧化镓pn二极管及制备方法，主要解决现有技术在提高器件反向击穿电压的同时严重增大器件的正向导通电阻和器件功耗的问题。其自下而上，包括：阴极欧姆金属、氧化镓衬底、氧化镓漂移层、p型半导体层和阳极金属，其中，p型半导体层由至少三层不同掺杂浓度的p型半导体材料按其掺杂浓度从1×10 |
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| 搜索关键词： | 基于 纵向 渐变 掺杂 浓度 结构 氧化 pn 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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