[发明专利]一种P型IBC电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种P型IBC电池的制作方法，包括：在P型硅基片的一侧表面上依序层叠形成第一SiO2层和第一本征多晶硅层；对第一本征多晶硅层进行磷掺杂，以形成N型掺杂层；在N型掺杂层上形成掩膜层，并对掩膜层进行图案化开槽；以掩膜层作为掩膜，依序刻蚀N型掺杂层和第一SiO2层，以露出P型硅基片的一侧表面的部分区域；在部分区域上依序层叠形成第二SiO2层和第二本征多晶硅层；对第二本征多晶硅层进行硼掺杂，以形成P型掺杂层；在N型掺杂层和P型掺杂层上分别形成电极。本发明提高了P型IBC电池的光电转换效率。