[发明专利]一种P型IBC电池的制作方法

说明书

本发明公开了一种P型IBC电池的制作方法，包括：在P型硅基片的一侧表面上依序层叠形成第一SiO₂层和第一本征多晶硅层；对第一本征多晶硅层进行磷掺杂，以形成N型掺杂层；在N型掺杂层上形成掩膜层，并对掩膜层进行图案化开槽；以掩膜层作为掩膜，依序刻蚀N型掺杂层和第一SiO₂层，以露出P型硅基片的一侧表面的部分区域；在部分区域上依序层叠形成第二SiO₂层和第二本征多晶硅层；对第二本征多晶硅层进行硼掺杂，以形成P型掺杂层；在N型掺杂层和P型掺杂层上分别形成电极。本发明提高了P型IBC电池的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及光伏发电技术领域，尤其涉及一种P型IBC电池的制作方法。

背景技术

目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。

IBC电池是目前转换效率最高的光伏电池之一，该电池以单晶硅为基体，p-n结及金属电极均位于电池背面，正面无金属电极遮光，可以获得非常高的短路电流和转换效率。IBC电池按照基体类型可分为N型IBC及P型IBC电池，P型IBC由于工艺简单，成本较低，目前越来越受到行业青睐。

但由于表面钝化问题，P型IBC电池转换效率受到制约，通过叠加钝化接触结构，可大幅提升P型IBC电池转换效率。

发明内容

鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种P型IBC电池的制作方法，该制作方法包括：

在P型硅基片的一侧表面上依序层叠形成第一SiO₂层和第一本征多晶硅层；

对所述第一本征多晶硅层进行磷掺杂，以形成N型掺杂层；

在所述N型掺杂层上形成掩膜层，并对所述掩膜层进行图案化开槽；

以所述掩膜层作为掩膜，依序刻蚀所述N型掺杂层和所述第一SiO₂层，以露出所述P型硅基片的一侧表面的部分区域；

在所述部分区域上依序层叠形成第二SiO₂层和第二本征多晶硅层；

对所述第二本征多晶硅层进行硼掺杂，以形成P型掺杂层；

在所述N型掺杂层和所述P型掺杂层上分别形成电极。

优选地，所述对所述第一本征多晶硅层进行磷掺包括：

在850℃～900℃环境下，将磷杂质扩散20分钟；

通过HF溶液清洗在掺杂过程中形成的磷硅玻璃。

优选地，所述对所述第二本征多晶硅层进行硼掺杂包括：

在所述第二本征多晶硅层上沉积形成硼硅玻璃层；

采用激光掺杂工艺将所述硼硅玻璃层的硼粒子扩散到所述第二本征多晶硅层中，所述激光掺杂工艺的激光光斑的宽度为10um～300um，激光功率为20W～80W，脉冲宽度为0.5us～2us，激光频为≥20KHz；

通过HF溶液清洗所述硼硅玻璃层和在掺杂过程中形成的硼硅玻璃。

优选地，在所述N型掺杂层和所述P型掺杂层上分别形成电极之前包括：

将所述P型硅基片放入质量浓度为5％～20％的KOH溶液中腐蚀10s～300s，之后利用纯水进行清洗；

将清洗后的所述P型硅基片放入体积浓度为1％～3％的KOH溶液中进行7min～10min的制绒；

对制绒后的所述P型硅基片进行退火氧化；