[发明专利]一种P型IBC电池的制作方法

权利要求书

1.一种P型IBC电池的制作方法，其特征在于，包括：

在P型硅基片的一侧表面上依序层叠形成第一SiO₂层和第一本征多晶硅层；

对所述第一本征多晶硅层进行磷掺杂，以形成N型掺杂层；

在所述N型掺杂层上形成掩膜层，并对所述掩膜层进行图案化开槽；

以所述掩膜层作为掩膜，依序刻蚀所述N型掺杂层和所述第一SiO₂层，以露出所述P型硅基片的一侧表面的部分区域；

在所述部分区域上依序层叠形成第二SiO₂层和第二本征多晶硅层；

对所述第二本征多晶硅层进行硼掺杂，以形成P型掺杂层；

在所述N型掺杂层和所述P型掺杂层上分别形成电极。

2.根据权利要求1所述的P型IBC电池的制作方法，其特征在于，所述对所述第一本征多晶硅层进行磷掺包括：

在850℃～900℃环境下，将磷杂质扩散20分钟；

通过HF溶液清洗在掺杂过程中形成的磷硅玻璃。

3.根据权利要求1所述的P型IBC电池的制作方法，其特征在于，所述对所述第二本征多晶硅层进行硼掺杂包括：

在所述第二本征多晶硅层上沉积形成硼硅玻璃层；

采用激光掺杂工艺将所述硼硅玻璃层的硼粒子扩散到所述第二本征多晶硅层中；

通过HF溶液清洗所述硼硅玻璃层和在掺杂过程中形成的硼硅玻璃。

4.根据权利要求3所述的P型IBC电池的制作方法，其特征在于，在所述N型掺杂层和所述P型掺杂层上分别形成电极之前包括：

将所述P型硅基片放入质量浓度为5％～20％的KOH溶液中腐蚀10s～300s，之后利用纯水进行清洗；

将清洗后的所述P型硅基片放入体积浓度为1％～3％的KOH溶液中进行7min～10min的制绒；

对制绒后的所述P型硅基片进行退火氧化；

形成背面氮化硅层和正面氮化硅层。

5.根据权利要求4所述的P型IBC电池的制作方法，其特征在于，所述退火氧化的温度为850℃～950℃，时长为10min～30min，氧气通入量为≥8000sccm。

6.根据权利要求1所述的P型IBC电池的制作方法，其特征在于，所述掩膜层为氮化硅膜，厚度为50nm～70nm。

7.根据权利要求1所述的P型IBC电池的制作方法，其特征在于，在P型硅基片的一侧表面上依序层叠形成第一SiO₂层和第一本征多晶硅层之前包括：

将所述P型硅基片放入体积浓度为0.2％～1％的H₂O₂溶液中进行表面油污清洗；

之后将所述P型硅基片放入质量浓度为5％～20％的NaOH溶液中进行中和，并清洗金属离子和氧化层；

之后进行水洗和烘干处理。