[发明专利]集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统

摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体为集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统，其包括MOSFET桥式电路、多个控制电路，第一控制电位点c、第二控制电位点d、第三控制电位点e三个的电位点每一个电位点均可以输入高低电压进行控制，每一个电位点均控制可导通一个lc电路或短路一个lc电路，因为每一个电位点可以控制两个支路，所以三个的电位点可以控制出23种缓冲电路，这样的本申请通过第一控制电位点c、第二控制电位点d、第三控制电位点e三种信号控制至少产生8种的缓冲电路，可以满足开关状态中多种缓冲电路切换的需求，而且本申请可以通过较少的MOSFET实现，可以充分利用MOSFET，并且实施中用于缓冲电路的MOSFET及lc电路均可以集成。