[发明专利]集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统

说明书

本发明涉及半导体技术领域，具体为集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统，其包括MOSFET桥式电路、多个控制电路，第一控制电位点c、第二控制电位点d、第三控制电位点e三个的电位点每一个电位点均可以输入高低电压进行控制，每一个电位点均控制可导通一个lc电路或短路一个lc电路，因为每一个电位点可以控制两个支路，所以三个的电位点可以控制出2³种缓冲电路，这样的本申请通过第一控制电位点c、第二控制电位点d、第三控制电位点e三种信号控制至少产生8种的缓冲电路，可以满足开关状态中多种缓冲电路切换的需求，而且本申请可以通过较少的MOSFET实现，可以充分利用MOSFET，并且实施中用于缓冲电路的MOSFET及lc电路均可以集成。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体为集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统。

背景技术

现有技术中碳化硅功率半导体模块多应用在桥式电路中，桥式电路的有源缓冲电路技术应用也更加广泛，比如图1中的一种集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块，其中的有源缓冲电路只有一种的结构，也即图中的LC电路、与LC电路串联的一个MOSFET电路，但在碳化硅功率半导体模块应用中经常需要改变开关状态，实际上开关状态中需要不同型号的缓冲电路相互切换才能实现更优的控制，缓冲电路的数量能够直接决定开关状态最大优化的潜力，但现有技术中的缓冲电路的数量基本上都仅仅一个的，并且在有源的缓冲电路之中一个缓冲电路还需要单独占用一个MOSFET器件。

发明内容

本发明的目的在于提供集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统，以解决上述背景技术中提出的问题。

集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统，包括MOSFET桥式电路、第一控制电路和第二控制电路，所述的第一控制电路具有第一个非控制极、第二个非控制极和一个控制极，所述的第二控制电路具有第一个非控制极、第二个非控制极和一个控制极，所述的第一控制电路的第一个非控制极与缓冲电路第一电位点a电连接，所述的第二控制电路第一个非控制极与第一lc电路、缓冲电路第一电位点a电串联，所述的第一控制电路的控制极和第二控制电路的控制极电连接并引出第一控制电位点c，第一控制电路的控制极和第二控制电路的控制极的驱动电位相反；

还包括第三控制电路和第四控制电路，所述的第三控制电路具有第一个非控制极、第二个非控制极和一个控制极，所述的第四控制电路具有第一个非控制极、第二个非控制极和一个控制极，所述的第三控制电路的第一个非控制极与第一控制电路的第二个非控制极、第二控制电路的第二个非控制极均电连接，所述的第四控制电路的第一个非控制极与第二lc电路、第三控制电路的第一个非控制极电串联，所述的第三控制电路的控制极和第四控制电路的控制极电连接并引出第二控制电位点d，第三控制电路的控制极和第四控制电路的控制极的驱动电位相反；

还包括第五控制电路和第六控制电路，所述的第五控制电路具有第一个非控制极、第二个非控制极和一个控制极，所述的第六控制电路具有第一个非控制极、第二个非控制极和一个控制极，所述的第五控制电路的第一个非控制极与第三控制电路的第二个非控制极、第四控制电路的第二个非控制极均电连接，所述的第六控制电路的第一个非控制极与第三lc电路、第五控制电路的第一个非控制极电串联，所述的第五控制电路的控制极和第六控制电路的控制极电连接并引出第三控制电位点e，第五控制电路的控制极和第六控制电路的控制极的驱动电位相反；所述的第五控制电路的第二个非控制极和第六控制电路的第二个非控制极均与缓冲电路第二电位点b电连接；

所述的缓冲电路第一电位点a、缓冲电路第二电位点b用于并联MOSFET桥式电路。

进一步，所述的MOSFET桥式电路包括半桥、全桥和三相桥电路。

进一步，所述的第一控制电路、第二控制电路、第三控制电路、第四控制电路、第五控制电路、第六控制电路均采用MOSFET器件的，所述的控制极为MOSFET器件的驱动控制极。