[发明专利]集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统

权利要求书

1.集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统，其特征在于，

包括MOSFET桥式电路、第一控制电路和第二控制电路，所述的第一控制电路具有第一个非控制极、第二个非控制极和一个控制极，所述的第二控制电路具有第一个非控制极、第二个非控制极和一个控制极，所述的第一控制电路的第一个非控制极与缓冲电路第一电位点a电连接，所述的第二控制电路第一个非控制极与第一lc电路、缓冲电路第一电位点a电串联，所述的第一控制电路的控制极和第二控制电路的控制极电连接并引出第一控制电位点c，第一控制电路的控制极和第二控制电路的控制极的驱动电位相反；

还包括第三控制电路和第四控制电路，所述的第三控制电路具有第一个非控制极、第二个非控制极和一个控制极，所述的第四控制电路具有第一个非控制极、第二个非控制极和一个控制极，所述的第三控制电路的第一个非控制极与第一控制电路的第二个非控制极、第二控制电路的第二个非控制极均电连接，所述的第四控制电路的第一个非控制极与第二lc电路、第三控制电路的第一个非控制极电串联，所述的第三控制电路的控制极和第四控制电路的控制极电连接并引出第二控制电位点d，第三控制电路的控制极和第四控制电路的控制极的驱动电位相反；

还包括第五控制电路和第六控制电路，所述的第五控制电路具有第一个非控制极、第二个非控制极和一个控制极，所述的第六控制电路具有第一个非控制极、第二个非控制极和一个控制极，所述的第五控制电路的第一个非控制极与第三控制电路的第二个非控制极、第四控制电路的第二个非控制极均电连接，所述的第六控制电路的第一个非控制极与第三lc电路、第五控制电路的第一个非控制极电串联，所述的第五控制电路的控制极和第六控制电路的控制极电连接并引出第三控制电位点e，第五控制电路的控制极和第六控制电路的控制极的驱动电位相反；所述的第五控制电路的第二个非控制极和第六控制电路的第二个非控制极均与缓冲电路第二电位点b电连接；

所述的缓冲电路第一电位点a、缓冲电路第二电位点b用于并联MOSFET桥式电路。

2.根据权利要求1所述的集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统，其特征在于，所述的MOSFET桥式电路包括半桥、全桥和三相桥电路。

3.根据权利要求1所述的集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统，其特征在于，所述的第一控制电路、第二控制电路、第三控制电路、第四控制电路、第五控制电路、第六控制电路均采用MOSFET器件的，所述的控制极为MOSFET器件的驱动控制极。

4.根据权利要求1所述的集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统，其特征在于，MOSFET桥式电路开关状态中不同的时间点上，第一控制电位点c、第二控制电位点d、第三控制电位点e三个电位点加载不同电位，第一lc电路、第二lc电路、第三lc电路在“MOSFET桥式电路开关状态中不同的时间点上”共同组合形成不同等效缓冲电路。

5.根据权利要求1所述的集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统，其特征在于，所述的“MOSFET桥式电路开关状态中不同的时间点”通过测量MOSFET桥式电路中电压数值、电流数值及电压变化数值、电流变化数值确定。

6.根据权利要求1所述的集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块系统，其特征在于，通过测量MOSFET桥式电路中电压数值、电流数值及电压变化数值、电流变化数值确定“MOSFET桥式电路开关状态中不同的时间点”具体的，通过在MOSFET桥式电路启动时候测量电压数值、电流数值及电压变化数值、电流变化数值确定启动阶段的不同的时间点，通过在MOSFET桥式电路关闭时候测量电压数值、电流数值及电压变化数值、电流变化数值确定关闭阶段的不同的时间点，当MOSFET桥式电路按照固定的频率开关切换时，在每一个切换的周期内测量电压数值、电流数值及电压变化数值、电流变化数值确定切换阶段的不同的时间点，建立切换阶段的不同的时间点与第一控制电位点c、第二控制电位点d、第三控制电位点e三个电位点的电位之间的映射关系，通过统计学习优化“切换阶段的不同的时间点与第一控制电位点c、第二控制电位点d、第三控制电位点e三个电位点的电位之间的映射关系”，然后用优化之后的“切换阶段的不同的时间点与第一控制电位点c、第二控制电位点d、第三控制电位点e三个电位点的电位之间的映射关系”输入切换阶段的不同的时间点，输出第一控制电位点c、第二控制电位点d、第三控制电位点e三个电位点的电位。