[发明专利]一种功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202210846203.7 | 申请日： | 2022-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115132587B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 高学;罗杰馨;柴展;王贺 | 申请（专利权）人： | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/311;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201822 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率器件及其制备方法，该功率器件的制备方法包括以下步骤：通过于第一沟槽中形成上表面低于半导体层上表面的第一介电材料层之后，于第一沟槽中依次形成第二、第三介电材料层，且在同种刻蚀条件下，第二介电材料层的刻蚀速度小于第三、第一介电材料层的刻蚀速度，以使第二沟槽底部形成凹角及第二沟槽底面与内壁之间的夹角大于90°，继而使形成于第二沟槽底面与内壁之间的转角处的栅介质层的厚度趋于正常值，填充于第二沟槽的栅导电层底部的尖端被介电层包裹。本发明通过于第二沟槽底部形成凹角，提升了栅介质层的厚度的均匀性，降低了器件的栅极电容，消除了栅导电层底部尖端电场引起的栅极漏电增加的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
