[发明专利]一种功率MOSFET结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210843977.4 | 申请日： | 2022-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN115274852A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 黄平;鲍利华;顾海颖 | 申请（专利权）人： | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L23/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201401 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开的功率MOSFET结构，包含单晶晶圆，在所述单晶晶圆上制作功率MOSFET结构，其中：功率MOSFET的源极和栅极位于晶圆的正面，漏极在晶圆的背面，其在源极和栅极的压焊点上设置金属凸块并在晶圆的正面设置塑封层，研磨塑封层使金属凸块的上表面露出所述塑封层的上表面；漏极通过在晶圆的背面注入及退火或者蒸发/溅射重掺杂Ge层或者Si层形成。本发明还公开了该功率MOSFET结构的制备方法。本发明通过控制研磨后晶圆的厚度，在满足击穿电压的前提下，将晶圆的厚度控制到最薄的厚度，以此来降低器件的导通电阻和热阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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